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本發(fā)明涉及光子晶體和分子印跡技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一維光子晶體結(jié)構(gòu)聚合物膜的制備方法。

背景技術(shù)：

分子印跡技術(shù)是由模板誘導(dǎo)在聚合物中形成特定識(shí)別位點(diǎn)的過(guò)程，在傳統(tǒng)的分子印跡檢測(cè)法中，由于使用單一的功能單體進(jìn)行聚合時(shí)，會(huì)受到溶液離子強(qiáng)度等的影響，出現(xiàn)溶脹率較大，聚合物破損等，不利于聚合物的制備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一維光子晶體結(jié)構(gòu)聚合物膜的制備方法。采用跨度為761nm，高度為75nm，寬度為350nm的一維光子晶體模板，通過(guò)將光子晶體和分子印跡技術(shù)相結(jié)合，根據(jù)不同濃度甲基苯丙胺對(duì)分子印跡聚合物膜的作用不同，利用光學(xué)光譜儀測(cè)定反射峰強(qiáng)度的變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)甲基苯丙胺的檢測(cè)。

檢測(cè)原理為：當(dāng)白色入射光照射在傳感器表面時(shí)，反射光的波長(zhǎng)符合光柵方程：mλ＝d(sinθ1+θd)，其中m為衍射級(jí)數(shù)，λ為衍射光波長(zhǎng)，θ1為光源入射角；θd為反射角；d為光柵周期。

當(dāng)分子印跡膜與樣品分子結(jié)合時(shí)，樣品分子進(jìn)入分子印跡空腔，產(chǎn)生結(jié)構(gòu)變化，會(huì)引起膜上面的臺(tái)階高度的改變，從而影響反射光譜的反射率，反射率的變化隨濃度的變化呈線性關(guān)系，從而檢測(cè)樣品分子濃度。