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本發明涉及光子晶體和分子印跡技術領域，具體涉及一維光子晶體結構聚合物膜的制備方法。

背景技術：

分子印跡技術是由模板誘導在聚合物中形成特定識別位點的過程，在傳統的分子印跡檢測法中，由于使用單一的功能單體進行聚合時，會受到溶液離子強度等的影響，出現溶脹率較大，聚合物破損等，不利于聚合物的制備。

技術實現要素：

本發明提供一維光子晶體結構聚合物膜的制備方法。采用跨度為761nm，高度為75nm，寬度為350nm的一維光子晶體模板，通過將光子晶體和分子印跡技術相結合，根據不同濃度甲基苯丙胺對分子印跡聚合物膜的作用不同，利用光學光譜儀測定反射峰強度的變化，從而實現對甲基苯丙胺的檢測。

檢測原理為：當白色入射光照射在傳感器表面時，反射光的波長符合光柵方程：mλ＝d(sinθ1+θd)，其中m為衍射級數，λ為衍射光波長，θ1為光源入射角；θd為反射角；d為光柵周期。

當分子印跡膜與樣品分子結合時，樣品分子進入分子印跡空腔，產生結構變化，會引起膜上面的臺階高度的改變，從而影響反射光譜的反射率，反射率的變化隨濃度的變化呈線性關系，從而檢測樣品分子濃度。