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通過配體插層策略實現(xiàn)MOF/COF的高密度集成促進(jìn)光催化低濃度CO2還原  
發(fā)布時間:2026-03-25    瀏覽量:89

1. 文章信息

標(biāo)題:  High-density integration of MOF/COF via ligand intercalation boosts

photocatalytic CO2 reduction under low-concentration conditions

中文標(biāo)題: 通過配體插層策略實現(xiàn)MOF/COF的高密度集成促進(jìn)光催化低濃度CO2還原  

頁碼:  126669      

DOI:   10.1016/j.apcatb.2026.126669                 

2. 文章鏈接

https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2026.126669      

3. 期刊信息

期刊名:     Applied Catalysis B: Environment and Energy       

ISSN:    0926-3373       

2025年影響因子:     21.1    

分區(qū)信息:     JCR分區(qū)(Q1),中科院1區(qū)TOP    

涉及研究方向:  工程技術(shù)/光催化類  

4. 作者信息:第一作者是  廣西大學(xué) 余鑫 。通訊作者為 廣西大學(xué)趙禎霞教授

5.產(chǎn)品型號:CEL-HXF300-S;CEL-NP2000-2A

 

 

一、研究背景

CO2光催化轉(zhuǎn)化為CO等高值化學(xué)品是實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的重要途徑之一。然而,目前大多數(shù)研究集中在高純CO2氣氛下,而實際的工業(yè)煙氣中CO2濃度通常僅為10-15%。在此低濃度條件下,CO2分子的傳質(zhì)驅(qū)動力嚴(yán)重不足,導(dǎo)致絕大多數(shù)光催化劑活性驟降。因此,開發(fā)兼具優(yōu)異CO2捕獲能力和高效光催化轉(zhuǎn)化能力的材料,是實現(xiàn)煙氣CO2直接資源化利用的關(guān)鍵科學(xué)難題。

金屬-有機(jī)框架(MOFs)材料因其明確結(jié)構(gòu)的金屬活性位點和高比表面積而備受關(guān)注,但存在光吸收范圍窄和光生載流子易復(fù)合的缺點。共價有機(jī)框架(COFs)材料則以其優(yōu)異的可見光吸收能力和可調(diào)的孔道結(jié)構(gòu)而著稱,但缺乏高效的催化活性中心。如何將兩者的優(yōu)勢有機(jī)結(jié)合,構(gòu)建集“吸附-富集-催化”于一體的集成系統(tǒng),是該領(lǐng)域的研究熱點和難點。針對這一挑戰(zhàn),廣西大學(xué)趙禎霞教授團(tuán)隊提出了一種“層間配體插層”策略,成功實現(xiàn)了MOF與COF的高密度集成,并在低濃度CO2光催化還原中取得突破性進(jìn)展。

 

 

二、本文亮點

1. 提出“層間配體插層”新策略:通過苯甲酸配體對COF進(jìn)行功能化修飾,為MOF的生長提供錨定位點,引導(dǎo)U66N在COF-T層間進(jìn)行高密度、有序的生長,而非簡單的表面負(fù)載。

2. 構(gòu)筑高密度集成異質(zhì)結(jié):成功構(gòu)建了COF-T與MOF緊密橋接的集成納米平臺,實現(xiàn)了光吸收單元(COF-T)與催化中心(U66N)的空間有序排布和功能協(xié)同。

3. 突破低濃度CO?轉(zhuǎn)化瓶頸:所得COF-T/U66N復(fù)合材料在15%低濃度CO?氣氛下,無需任何光敏劑和犧牲劑,產(chǎn)CO速率達(dá)65.0 μmol·g?1·h?1,性能是純U66N的4.5倍,領(lǐng)先文獻(xiàn)報道的同類材料5-40倍。

 

三、圖文解析

1. 材料設(shè)計:配體插層策略實現(xiàn)MOF/COF高密度集成

研究團(tuán)隊首先通過希夫堿反應(yīng)合成TPB-DMTP-COF。隨后,利用重氮反應(yīng)將苯甲酸配體接枝到COF骨架,獲得功能化的COF-T。這一修飾不僅引入了大量的羧基作為U66N的成核位點,還通過配體插層效應(yīng)擴(kuò)大了COF的層間距。最后,通過溶劑熱法使U66N前驅(qū)體與COF-T上的羧基配位,在空間位阻誘導(dǎo)下,U66N晶體在COF-T層間原位生長,形成緊密橋接的MOF/COF集成納米平臺。

2. 結(jié)構(gòu)表征:緊密界面源于強(qiáng)配位相互作用

掃描電鏡顯示,與COF/U66N中U66N顆粒(~161 nm)無規(guī)負(fù)載于COF表面不同,在COF-T/U66N中,粒徑更小的U66N晶體(~96 nm)均勻地嵌入COF-T層間。XRD和XPS分析進(jìn)一步證實,由于COF-T層上羧基與U66N中Zr簇的強(qiáng)配位作用(Zr 3d結(jié)合能正移0.5 eV),兩者之間形成了牢固的Zr-O化學(xué)鍵,而非簡單的物理混合。這種緊密的界面接觸是實現(xiàn)高效電荷轉(zhuǎn)移的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)

 

N2吸脫附測試表明,COF-T/U66N的比表面積高達(dá)1425 m2/g,顯著高于物理混合的COF/U66N(697 m2/g)。更重要的是,其在~7 ?處出現(xiàn)了新的微孔,并在21-23 ?范圍內(nèi)形成了新的介孔。這些新孔源于U66N晶體嵌入COF-T層間后在緊密界面處構(gòu)筑的分子級空腔,為CO2的吸附富集提供了更多活性位點。

3. 性能測試:低濃度CO2高效、高選擇性轉(zhuǎn)化為CO

性能測試結(jié)果顯示,無論是在純CO2還是15%低濃度CO2氣氛下,COF-T/U66N均表現(xiàn)出最優(yōu)的CO產(chǎn)率,分別達(dá)到84.7和65.0 μmol·g-1·h-1,CO選擇性接近100%。在低濃度下,其性能是純U66N的4.5倍。對照實驗和同位素13 CO2標(biāo)記實驗確證了CO產(chǎn)物來源于CO2的光催化還原。經(jīng)過5次循環(huán)測試后,材料性能無明顯下降,XRD特征峰保持完好,顯示出優(yōu)異的穩(wěn)定性。

4. 光電化學(xué):緊密界面促進(jìn)電荷高效分離

光電化學(xué)測試表明,COF-T/U66N具有最小的電荷轉(zhuǎn)移阻抗(37.5 Ω)和最高的光電流密度(分別是純COF、U66N和COF/U66N的11.2、3.0和2.1倍),表明光生電子-空穴對的分離效率被極大提升。EPR譜圖進(jìn)一步揭示,COF-T/U66N中存在更多的氧空位缺陷,這些缺陷可作為CO2的吸附和活化位點。

UV-vis DRS顯示,COF-T/U66N的帶隙(Eg)縮小至2.70 eV,可見光吸收能力增強(qiáng)。Mott-Schottky測試確定了U66N和COF-T的能帶位置,兩者構(gòu)成type-II型異質(zhì)結(jié)。COF-T更負(fù)的導(dǎo)帶位置(-0.70 V vs. NHE)有利于光生電子向U66N的Zr活性中心注入,而U66N的價帶空穴則可向COF-T轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)了空間上的高效電荷分離。

5. 吸附與理論計算:增強(qiáng)吸附與降低能壘

CO2吸附等溫線表明,COF-T/U66N的CO?吸附量高達(dá)37.20 cm3/g,是純U66N的1.4倍。DFT計算進(jìn)一步揭示了微觀機(jī)制:COF-T/U66N中,由于界面限域效應(yīng),CO2分子的吸附能高達(dá)-34.33 kJ/mol,遠(yuǎn)高于其他材料(COF:-14.10 kJ/mol,COF-T:-20.22 kJ/mol,U66N:-21.89 kJ/mol)。

 

6. 機(jī)理揭示:原位光譜與DFT計算闡明反應(yīng)路徑

原位紅外光譜監(jiān)測到了*COOH(1574-1620 cm?1)這一關(guān)鍵中間體的特征峰,證實反應(yīng)遵循COOH*路徑。DFT計算定量揭示了COF-T/U66N性能優(yōu)異的本質(zhì):CO2活化能降至0.20 eV,決速步驟(*COOH的形成)的能壘從U66N的2.31 eV顯著降低至0.65 eV。這一巨大降幅歸因于界面處氧空位缺陷的存在,使得兩個Zr位點能夠協(xié)同活化CO2分子。基于以上分析,提出了完整的光催化循環(huán)機(jī)理:COF-T作為天線捕獲光能并產(chǎn)生電子-空穴對,光生電子通過Zr-O配位鍵迅速遷移至U66N的Zr活性中心,將預(yù)富集的CO2分子逐步還原為CO;同時,空穴用于氧化H2O生成O2和H?,完成整個光催化循環(huán)。

四、總結(jié)與展望

本研究成功開發(fā)了一種層間配體插層策略,通過將苯甲酸功能化的COF-T作為錨定基底,引導(dǎo)NH2-UiO-66(Zr)在其層間原位生長,構(gòu)筑了高密度集成的MOF/COF異質(zhì)結(jié)光催化劑(COF-T/U66N)。該獨特結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了CO2富集與光催化轉(zhuǎn)化的協(xié)同增效:界面新生孔道顯著提升了低濃度CO2的捕獲能力,Zr-O強(qiáng)配位鍵構(gòu)筑了高效的電荷轉(zhuǎn)移通道,而界面缺陷位點協(xié)同作用將決速步驟的能壘大幅降低。因此,COF-T/U66N在15%低濃度CO?氣氛下實現(xiàn)了優(yōu)異的CO產(chǎn)率和近100%的選擇性,性能領(lǐng)先現(xiàn)有報道5-40倍。本研究不僅為低濃度CO2的直接資源化利用提供了高效的候選材料,所提出的配體插層策略也為設(shè)計更多高性能MOF/COF基異質(zhì)結(jié)光催化劑開辟了通用新途徑。

 


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